На заході NVIDIA GPU Technology Conference (GTC) Micron продемонструвала величезні модулі пам’яті MCR DIMM DDR5-8800 на 256 ГБ. Ці модулі розроблені для серверів нового покоління, зокрема, з процесорами Intel Xeon Scalable Granite Rapids. Раніше компанія оголосила, що нові модулі MCRDIMM на 256 ГБ проходять тестування серед клієнтів.
Micron показала великий 256 ГБ DDR5-8800 MCRDIMM, але також планує запропонувати MCRDIMM стандартної висоти. Обидва модулі MCRDIMM на 256 ГБ базуються на блоках DDR5 на 32 ГБ, але великий розміщує 80 чипів DRAM з обох боків модуля, тоді як стандартний використовує пакети 2Hi, що означає, що вони гріються трохи більше через гірше розсіювання тепла. Модуль споживає близько 20 Вт, що непогано, оскільки 128 ГБ DDR5-8000 RDIMM від Micron споживає 10 Вт.
Пам’ять Multiplexer Combined Ranks (MCR) DIMM має дворангові модулі, які дають можливість обом рангам працювати одночасно за допомогою спеціального буфера. Буфер дозволяє двом фізичним рангам діяти так, ніби вони є двома окремими модулями, що працюють паралельно. Цим досягається подвоєна продуктивність через одночасне отримання 128 байтів даних за такт. Буфер працює з власним контролером пам’яті за протоколом DDR5, на швидкості, що перевищує визначену стандартом, у цьому випадку 8800 МТ/с.
Зазвичай модулі з двома фізичними рангами функціонують як єдиний модуль — коли центральний процесор (або контролер пам’яті) отримує дані з такого модуля, він обмежується 64 байтів даних за раз. Модулі MCRDIMM подвоюють цей показник, збільшуючи продуктивність.
Враховуючи, що Micron продемонструвала свої модулі MCRDIMM на GTC, організованому NVIDIA, цілком імовірно, що компанія позиціює ці продукти для серверів ШІ. Такі комп’ютери, як правило, потребують величезного обсягу пам’яті для навчання, і нові модулі великої місткості стануть у пригоді. Процесори Intel Xeon Scalable Granite Rapid мають 12-канальну підсистему пам’яті з підтримкою двох модулів на канал. Використовуючи модулі MCRDIMM Micron на 256 ГБ, сервер на базі Granite Rapid може мати 3 ТБ пам’яті DDR5 за допомогою 12 слотів та 6 ТБ DRAM за допомогою 24 слотів.
Джерело: itc.ua
